低形成电压的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低形成电压的阻变存储器，包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层；还包括设置在电阻转变层和活性电极层之间的一含有缺陷的界面层。本发明还公开了上述低形成电压的阻变存储器的制备方法，包括步骤：A、在衬底上依次制备惰性电极层、电阻转变层和活性电极层；B、将具有惰性电极层、电阻转变层和活性电极层的结构在缺氧气氛中退火。该方法充分利用活性电极层的吸氧能力，通过退火处理，使得活性电极层吸收电阻转变层中的氧离子，在活性电极层与电阻转变层之间形成含有缺陷的界面层，并且使电阻转变层中产生大量氧空位，该方法可更好的控制氧空位缺陷的形成。

主权项

一种低形成电压的阻变存储器，包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层，其特征在于，所述电阻转变层和所述活性电极层之间还包括一含有缺陷的界面层。