| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含多个鳍状结构，设置于一基底上，其中，该鳍状结构的至少一具有一尖端；以及一虚置栅极结构，设置于该基底上，其中，该虚置栅极结构包含一延伸部位，该延伸部位覆盖该尖端。 | ||
| 申请公布号 | CN106298916A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510273696.X | 申请日期 | 2015.05.26 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 孙千媖;刘恩铨;陈明新;童宇诚;杨智伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，包含：多个鳍状结构，设置于一基底上，其中，该鳍状结构的至少一具有一尖端；以及虚置栅极结构，设置于该基底上，其中，该虚置栅极结构包含一延伸部，该延伸部覆盖该尖端。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||