一种高品质因数的三维电感器结构及其制作工艺

摘要

本发明公开一种高品质因数的三维电感器结构及其制作工艺。该三维电感器由多个元件单元构成，电感元件的输入输出端口位于基底顶部的金属层；元件单元包括位于基底顶部的金属层、两个圆环状的硅通孔阵列、位于基底底部的重新布局层；其中两个圆环状的硅通孔阵列左右对称设置。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。运用金属线连接两个圆环中的硅通孔，相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值，同时充分利用正互感值(同圆环中硅通孔的电流流向都相同，金属层和重新布局层中金属线中电流流向分别相同)，增强电感值。

主权项

一种基于在硅基底中挖空槽工艺的新型三维电感器，其特征在于其特征在于该电感器由多个元件单元构成，电感元件的输入输出端口位于基底顶部的金属层；所述的元件单元包括位于基底顶部的金属层、两个圆环状的硅通孔阵列、位于基底底部的重新布局层；其中两个圆环状的硅通孔阵列左右对称设置；所述的硅通孔结构为穿过硅基底的铜，为防止漏电流，在铜外周设有材料为二氧化硅的绝缘层，在绝缘层外周则为硅基底；由6个硅通孔结构构成圆环状的硅通孔阵列，上述硅通孔均匀分布在圆环，其位置左右对称；圆环状的硅通孔阵列中的硅通孔顺时针定义为第一、二、三、四、五、六硅通孔，其中定义圆环最上部的位置为第一硅通孔；将第一圆环的第六硅通孔的金属层端作为输入端，第二圆环中的第二硅通孔的金属层端作为输出端。将第一圆环中的第一硅通孔的金属层端与第二圆环中的第一硅通孔的金属层端通过金属线连接；将第一圆环中的第二硅通孔的金属层端与第二圆环中的第六硅通孔的金属层端通过金属线连接；将第一圆环中的第三硅通孔的金属层端与第二圆环中的第五硅通孔的金属层端通过金属线连接；将第一圆环中的第四硅通孔的金属层端与第二圆环中的第四硅通孔的金属层端通过金属线连接；将第一圆环中的第五硅通孔的金属层端与第二圆环中的第三硅通孔的金属层端通过金属线连接；同样在电感器的底部重新布局层也进行金属线连接，将第一圆环中的第一硅通孔的重新布局层端与第二圆环中的第二硅通孔的重新布局层端通过金属线连接；将第一圆环中的第二硅通孔的重新布局层端与第二圆环中的第一硅通孔的重新布局层端通过金属线连接；将第一圆环中的第三硅通孔的重新布局层端与第二圆环中的第六硅通孔的重新布局层端通过金属线连接；将第一圆环中的第四硅通孔的重新布局层端与第二圆环中的第五硅通孔的重新布局层端通过金属线连接；将第一圆环中的第五硅通孔的重新布局层端与第二圆环中的第四硅通孔的重新布局层端通过金属线连接；将第一圆环中的第六硅通孔的重新布局层端与第二圆环中的第三硅通孔的重新布局层端通过金属线连接。