发明名称 |
具有优化嵌入原胞结构的CSTBT器件 |
摘要 |
本发明公开了一种具有优化嵌入原胞结构的CSTBT器件,包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区,器件顶部包括有源原胞和嵌入原胞两种区域。嵌入原胞区域的沟槽结构由多晶硅和栅氧化层组成,多晶硅和金属发射极都和发射极电极相连接,嵌入原胞区域的沟槽之间具有CS层。嵌入原胞区域的沟槽之间取消P型基区,且多个沟槽内的多晶硅之间没有多晶硅桥相连。本发明在传统的CSTBT基础上,取消了嵌入原胞区域trench之间的P型基区,且嵌入原胞区域trench内的多晶硅之间没有多晶硅桥相连,进一步提高了器件载流子浓度,显著降低了饱和压降以及短路电流的峰值和稳定值。同时完全不影响器件的米勒电容和耐压性能。 |
申请公布号 |
CN103956379B |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201410199352.4 |
申请日期 |
2014.05.09 |
申请人 |
常州中明半导体技术有限公司 |
发明人 |
李宇柱 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
南京知识律师事务所 32207 |
代理人 |
高桂珍 |
主权项 |
具有优化嵌入原胞结构的CSTBT器件,包括背面的金属集电极(13)、P型集电极(12)、N型场终止层(11)和N‐漂移区(10),所述器件顶部包括有源原胞和嵌入原胞两种区域,其中:有源原胞区域的沟槽结构由相互接触的多晶硅(6)和栅氧化层(9)组成,多晶硅(6)和器件的栅电极相连,有源原胞区域的沟槽旁边包括P型基区(7)和CS层(8),P型基区(7)上面还设有N+发射区(1)和P+接触区(2),N+发射区(1)和P+接触区(2)通过介质层(4)中的窗口和金属发射极(5)相连接;嵌入原胞区域的沟槽结构由多晶硅(3)和栅氧化层(9)组成,多晶硅(3)和金属发射极(5)都和发射极电极相连接,嵌入原胞区域的沟槽之间具有CS层(8);其特征在于:嵌入原胞区域的沟槽之间、CS层(8)的上方用N‐漂移区(10)替代P型基区(7),且嵌入原胞区域的多个沟槽内的多晶硅(3)之间没有多晶硅桥相连,且嵌入原胞区域的多个沟槽内的多晶硅(3)不延伸到沟槽之外。 |
地址 |
213200 江苏省常州市金坛市金坛经济开发区中兴路89号 |