存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。存储元件包括基底、多个叠层结构、多个导体柱、多个电荷储存层以及多个第三导体层。叠层结构位于基底上，叠层结构沿着第一方向排列且沿着第二方向延伸，其中每一叠层结构包括多个第一导体层和多个介电层沿着第三方向相互交替叠层。每一导体柱位于相邻两个叠层结构之间的基底上。每一电荷储存层位于叠层结构与导体柱之间。每一第三导体层沿着第一方向延伸，与叠层结构交错于多个交错区域，且覆盖部分叠层结构和导体柱的顶部。叠层结构与第三导体层交错的每一交错区域具有空气间隙，且空气间隙沿着第三方向延伸。

主权项

一种存储元件，包括：多个叠层结构，位于一基底上，这些叠层结构沿着一第一方向排列且沿着一第二方向延伸，其中每一叠层结构包括多个第一导体层和多个介电层沿着一第三方向相互交替叠层；多个导体柱，每一导体柱位于相邻两个叠层结构之间的该基底上；多个电荷储存层，每一电荷储存层位于这些叠层结构与这些导体柱之间；以及多个第三导体层，每一第三导体层沿着该第一方向延伸，与这些叠层结构交错于多个交错区域，且覆盖部分这些叠层结构和这些导体柱的顶部，其中这些叠层结构与这些第三导体层交错的每一交错区域具有一空气间隙，且该空气间隙沿着该第三方向延伸。