基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低，且可以方便地与自停止刻蚀的栅凹槽同时完成，从而简化自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。

主权项

一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，其步骤包括：1)在氮化镓基表面光刻器件区域；2)刻蚀非器件区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；3)对所述氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；4)将氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，形成隔离岛。