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(과제) 잔사가 발생하지 않고, 양호한 라인 에지 러프니스(LER)로 레지스트 패턴을 제조할 수 있는 레지스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. (해결 수단) -SO-기를 갖는 구조 단위, 식 (Ⅱ)로 나타나는 구조 단위 및 산 불안정기를 갖는 구조 단위를 포함하는 수지 (A1)과, 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물.[식 중, R는, 할로겐 원자를 가져도 되는 탄소수 1∼6의 알킬기, 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다; L은, 단결합 또는 *-L-CO-O-(L-CO-O)-를 나타낸다. *은, 산소 원자와의 결합손을 나타낸다; L및 L은, 서로 독립적으로, 탄소수 1∼12의 2가의 탄화수소기를 나타낸다; g는, 0 또는 1을 나타낸다; R은, 탄소수 1∼12의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 나타낸다. 단, 제 3 급 알킬기를 제외한다.] |
