发明名称 无铅压电陶瓷薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种无铅压电陶瓷薄膜的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:步骤1)将未被极化过的无铅压电陶瓷粉体溶解在去离子水中得混合液;步骤2)准备两块绝缘薄膜;步骤3)沉淀得无铅压电陶瓷粉体沉淀层,所述沉淀层厚度达到0.05‑0.9mm,加热烘干所述沉淀层,烘干温度小于90℃;步骤4)将步骤2中另一块薄膜铺设在沉淀层上方,将薄膜涂有导电胶的一侧朝下,得无铅压电陶瓷薄膜中间体;步骤5)压合无铅压电陶瓷薄膜中间体;步骤6)对步骤5中压合后的无铅压电陶瓷薄膜中间体进行极化处理得具有柔性的无铅压电陶瓷薄膜。通过本发明的无铅压电陶瓷薄膜的制备方法制备得到了压电效应较好,具有柔性的无铅压电陶瓷薄膜。
申请公布号 CN106278263A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610654873.3 申请日期 2016.08.10
申请人 湖南文理学院 发明人 吴丹
分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B41/00(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人 赵永辉
主权项 一种无铅压电陶瓷薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:步骤1)将未被极化过的无铅压电陶瓷粉体溶解在去离子水中得混合液;步骤2)准备两块绝缘薄膜,在每块薄膜的一侧均匀涂抹一层导电胶;步骤3)将步骤2中的一块薄膜置于混合液的底部,将薄膜涂有导电胶的一侧朝上,然后静止一段时间进行沉淀得无铅压电陶瓷粉体沉淀层,所述沉淀层厚度达到0.05‑0.9mm,加热烘干所述沉淀层,烘干温度小于90℃;步骤4)将步骤2中另一块薄膜铺设在沉淀层上方,将薄膜涂有导电胶的一侧朝下,得无铅压电陶瓷薄膜中间体;步骤5)压合无铅压电陶瓷薄膜中间体;步骤6)对步骤5中压合后的无铅压电陶瓷薄膜中间体进行极化处理得具有柔性的无铅压电陶瓷薄膜。
地址 415000 湖南省常德市洞庭大道3150号