| 发明名称 | 一种III‑V族半导体晶体的生长装置及生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种III‑V族半导体晶体的生长装置，包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3)；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。 | ||
| 申请公布号 | CN106283176A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610839770.4 | 申请日期 | 2016.09.21 |
| 申请人 | 广东先导稀材股份有限公司 | 发明人 | 狄聚青;朱刘 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种III‑V族半导体晶体的生长装置，其特征在于，包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3)；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。 | ||
| 地址 | 511500 广东省清远市清新县禾云镇工业区（鱼坝公路旁） | ||