快闪存储器的形成方法

摘要

一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有浮栅极结构膜和位于浮栅极结构膜上的控制栅结构膜；在控制栅结构膜上形成若干个分立的介质层，相邻介质层之间具有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；以第一侧墙为掩膜去除第一开口底部的控制栅极结构膜和浮栅极结构膜，在第一开口底部形成第二开口；在第二开口底部的半导体衬底中形成源区，源区中具有源离子；形成源区后，在第二开口侧壁形成第二侧墙；形成第二侧墙后，在源区中掺杂补偿离子，所述补偿离子的导电类型和源离子的导电类型相同；在源区中掺杂补偿离子后，在第一开口和第二开口中形成源线层。所述方法能避免快闪存储器擦除失效。

主权项

一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有浮栅极结构膜和位于浮栅极结构膜上的控制栅结构膜；在控制栅结构膜上形成若干个分立的介质层，相邻介质层之间具有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；以第一侧墙为掩膜去除第一开口底部的控制栅极结构膜和浮栅极结构膜，在第一开口底部形成第二开口；在第二开口底部的半导体衬底中形成源区，源区中具有源离子；形成源区后，在第二开口侧壁形成第二侧墙；形成第二侧墙后，在源区中掺杂补偿离子，所述补偿离子的导电类型和源离子的导电类型相同；在源区中掺杂补偿离子后，在第一开口和第二开口中形成源线层。