发明名称 |
用于制备横向超级结结构的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制备超级结结构的方法,尤其涉及一种用于制备横向超级结结构的方法;一种在半导体器件中制备横向超级结结构的制备方法,使用N和P型离子注入到基极外延层中。在一些实施例中,基极外延层为本征外延层或轻掺杂外延层。该方法同时将N和P型离子注入到基极外延层中。连续重复进行外延和注入工艺,在半导体基极层上制备多个注入的基极外延层。形成所需数量的注入基极外延层之后,对半导体结构退火,形成含有交替N和P型薄半导体区的横向超级结结构。确切地说,通过离子注入工艺和后续的退火,制成交替的N和P型薄超级结层。本发明所述的制备方法,确保在横向超级结器件中实现良好的电荷控制。 |
申请公布号 |
CN106298541A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610410697.9 |
申请日期 |
2016.06.13 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
马督儿·博德;管灵鹏;卡西科·帕德马纳班;哈姆扎·耶尔马兹 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
董科 |
主权项 |
一种用于制备横向超级结结构的方法,其特征在于,包括:制备一个第一导电类型的重掺杂半导体衬底;在衬底上,制备一个第一导电类型的轻掺杂半导体层,衬底和轻掺杂半导体层构成半导体基极层;在半导体基极层上,制备一个基极外延层;将N‑型和P‑型注入到基极外延层中;重复制备基极外延层,并将N‑型和P‑型注入到基极外延层中,以便在半导体基极层上形成多个注入的基极外延层;并且对所述多个注入的基极外延层退火,以激活注入的掺杂物,并使注入掺杂物扩散,以在所述多个注入的基极外延层中形成交替的N‑型和P‑型薄半导体区,其中交替的N‑型和P‑型薄半导体区构成横向超级结结构。 |
地址 |
美国加利福尼亚州94085桑尼维尔奥克米德大道475号 |