一种半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于半导体层上的栅极、源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；以及表面钝化层，表面钝化层包括位于半导体层上的第一部分和第二部分，第一部分位于栅极与漏极之间，第二部分位于栅极与源极之间；栅极面向漏极的第一侧面与半导体层的交界处不直接接触表面钝化层。本发明的栅极靠近漏极的侧面与表面钝化层不直接接触，避免因栅极与表面钝化层直接接触而导致的肖特基性能退化，栅极漏电增大，栅极失效等问题，器件的可靠性好。本发明还涉及该半导体元件的制作方法。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，其包括：衬底；半导体层，位于所述衬底上；栅极、源极和漏极，位于所述半导体层上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；以及表面钝化层，所述表面钝化层包括位于所述半导体层上的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅极与所述漏极之间，所述第二部分位于所述栅极与所述源极之间；所述栅极面向所述漏极的第一侧面与所述半导体层的交界处不直接接触所述表面钝化层。