| 发明名称 | 一种晶圆凸块形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶圆凸块形成方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成凸块；在所述凸块上形成焊料球；对所述半导体衬底进行清洗，以去除所述焊料表面的氧化物；执行高温回流，以使所述凸块形成稳定的合金。本发明提出的晶圆凸块形成方法，在形成凸块之后，在对所述凸块进行高温回流之前，对所述凸块进行清洗，以去除锡银焊料球表面的氧化物，这样后续在进行高温回流时由于焊料球表面的氧化物已经去除，因而减少了甲酸与氧化物反应产生的颗粒缺陷，提高了产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106298706A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510259154.7 | 申请日期 | 2015.05.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 薛兴涛;孟津;王玲;何智清 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种晶圆凸块形成方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成凸块；在所述凸块上形成焊料球；对所述半导体衬底进行清洗，以去除所述焊料表面的氧化物；执行高温回流，以使所述凸块形成稳定的合金。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||