发明名称 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法
摘要 本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法;包括如下的步骤:首先、切取单晶硅棒中多余的单晶;其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。
申请公布号 CN104960100B 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201510331104.5 申请日期 2015.06.15
申请人 浙江海纳半导体有限公司 发明人 郑欢欣;王伟棱;潘金平;饶伟星
分类号 B28D5/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I 主分类号 B28D5/02(2006.01)I
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人 金祺
主权项 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法;其特征是:包括如下的步骤:首先、切取单晶硅棒中多余的单晶;其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭;通过掏棒机进行圆形晶锭的加工;所述圆形晶锭的加工步骤如下:首先、将所切取的单晶固定在掏棒机上,使单晶垂直于固定台;其次、设定所要掏取的晶棒直径,选取对应尺寸的钻头,使钻头轴心与单晶轴心保持一致,并进行钻取;最后、将钻取的晶棒在滚磨机床上进行滚圆加工,形成合格的圆形晶锭。
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