| 发明名称 | 一种硅片表面HF酸处理系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片表面HF酸处理系统，包括由气体管路依次连接的气源、HF酸源、硅片处理单元和尾气处理单元；其中该气体管路上设有一总阀门，且自该管路分出第一支路和第二支路；该第一支路连接至HF酸源液面底部，且设有第一阀门；该第二支路上设有第二阀门，且又分出连接至HF酸源液面上方的支路和连接至硅片处理单元进气口的支路，在连接至HF酸源液面上方的支路上更设有第三阀门。本发明可以利用气体携带HF酸蒸汽，快速高效批量性地对硅片表面进行氢处理，去除硅片正反表面的氧化膜，使得硅片表面达到疏水状态。本发明还具有气体吹扫、尾气处理部分，确保实际操作的安全性。 | ||
| 申请公布号 | CN106298586A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510303532.7 | 申请日期 | 2015.06.04 |
| 申请人 | 有研半导体材料有限公司 | 发明人 | 赵而敬;李宗峰;库黎明;冯泉林;盛方毓;王永涛;葛钟;刘建涛 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘秀青;熊国裕 |
| 主权项 | 一种硅片表面HF酸处理系统，其特征在于，包括由气体管路依次连接的气源、HF酸源、硅片处理单元和尾气处理单元；其中该气体管路上设有一总阀门，且自该管路分出第一支路和第二支路；该第一支路连接至HF酸源液面底部，且设有第一阀门；该第二支路上设有第二阀门，且又分出连接至HF酸源液面上方的支路和连接至硅片处理单元进气口的支路，在连接至HF酸源液面上方的支路上更设有第三阀门。 | ||
| 地址 | 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 | ||