一种电流调谐的集成磁膜单片混频器

摘要

本发明涉及的一种基于单片微波集成电路（MMIC）制造工艺，制作的一种电流调谐的集成磁膜单片混频器；通过直流电流对混频器的带宽和变频损耗进行调谐。其特征在于，该混频器的LO(本振）信号和RF（射频）信号分别通过一个可外加电流的铁磁螺旋变压器式Balun（平衡‑不平衡变换器）输入到4个环形结构的二极管中，该Balun通过在传统金属螺旋变压器式Balun下插入一层铁磁薄膜和一层绝缘介质实现；该混频器的带宽和变频损耗可通过电流进行调谐，在直流电流下，混频器的带宽展宽，变频损耗降低。具有（1）混频器带宽可调谐；（2）混频器变频损耗可调谐；（3）制作工艺与GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）常规RF/MMIC制造工艺兼容等优点。

主权项

一种电流调谐的集成磁膜单片混频器，其特征在于：包括半导体基片，在半导体基片上端的两侧各设置第一铁磁螺旋变压器式巴伦及第二铁磁螺旋变压器式巴伦，在两个铁磁变压器式巴伦之间依次设置第一二极管、第四二极管、第三二极管及第二二极管，第一二极管与第四二极管组成第一二极管组，第三二极管及第二二极管组成第二二极管组，本振信号由第一铁磁螺旋变压器式巴伦形成两路相位相反的信号后分别输入到第一二极管组及第二二极管组上，射频信号由第二金属铁磁变压器式巴伦形成两路相位相反的信号后分别输入到第一二极管组及第二二极管组上，且第二二极管的正极连接第一二极管的负极，第四二极管的正极连接第三二极管的负极。