发明名称 |
Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溅射靶材的制备方法 |
摘要 |
Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溅射靶材的制备方法,选择粒径为0.5‑6μm的球形Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉为原料,按比例混合均匀压制毛坯,然后置于大气烧结炉中进行烧结,降温后对半成品进行加工处理,得到Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溅射靶材。离子掺杂改善Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的晶型,相对理论密度高,制备出的薄膜膜层致密,不易从基体脱落,导电和发光等特性提高,而且寿命长。 |
申请公布号 |
CN106282943A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610752565.4 |
申请日期 |
2016.08.29 |
申请人 |
基迈克材料科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
贾泽夏;庄志杰;诸斌;顾宗慧 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
郭春远 |
主权项 |
Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溅射靶材的制备方法,其特征在于,制备方法具体包含以下步骤:1):选择粒径为0.5‑6μm的球形Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的质量含量为0.5%‑2%;2):将原料粉装入钢模中压制,压制压力为10‑30MPa;3):将压制好的毛坯放置在平整刚玉托盘上,置于大气烧结炉中进行烧结,烧结温度为1400℃—1600℃,1200℃之前升温速度为20℃/min,1200℃以上升温速度为5℃/min,最高温度保持5—10小时;4):降温后对半成品进行加工处理,确保所有平面保持平整,并且角部成直角,得到Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>溅射靶材。 |
地址 |
215214 江苏省苏州市吴江市汾湖经济开发区汾杨路东侧 |