发明名称 一种取消可控硅RC吸收回路的控制器
摘要 本发明公开了一种取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主体、红外线发射装置和可控硅控制器内壳,所述可控硅控制器主体上表面安装有开关键,且开关键右侧安装有模式键,所述可控硅控制器主体上表面安装有显示器装置,且显示器装置下方安装有工作指示灯装置,所述可控硅控制器主体下方安装有蓄电池装置,所述可控硅控制器主体内部安装有可控硅控制器内壳。本发明中,主要采用高抗可控硅SCR模块,无需附加RC吸收电路,从而避免的常规情况下使用RC吸收电路所导致的电路成本过高、品质不良率高等缺点,采用高抗可控硅SCR模块,驱动方式合理,保护到位,无需附加RC吸收电路,控制器反馈更加流畅。
申请公布号 CN106301319A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610795792.5 申请日期 2016.08.31
申请人 浙江朗科智能电气有限公司 发明人 何淦;张鹏
分类号 H03K17/72(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I 主分类号 H03K17/72(2006.01)I
代理机构 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265 代理人 江程鹏
主权项 一种取消可控硅RC吸收回路的控制器,包括可控硅控制器主体(1)、红外线发射装置(11)和可控硅控制器内壳(14),其特征在于,所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有开关键(2),且开关键(2)右侧安装有模式键(7),所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有显示器装置(5),且显示器装置(5)下方安装有工作指示灯装置(6),所述可控硅控制器主体(1)下方安装有蓄电池装置(10),所述可控硅控制器主体(1)内部安装有可控硅控制器内壳(14),所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有红外线发射装置(11),所述红外线发射装置(11)下方安装有数据连接线装置(12),所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有高抗可控硅SCR模块(13),所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有处理器装置(16),所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有主板固定装置(15)。
地址 314408 浙江省嘉兴市海宁市长安镇(农发区)启潮路141号