IMPROVED ETCHING PROCESS

摘要

방법은 반도체 기판을 제공하는 단계; 반도체 기판 상에 도핑 산화물층을 형성하는 단계; 도핑 산화물층 상에 패터닝층을 형성하는 단계로서, 패터닝층은 도핑 산화물층의 노출 영역들을 남겨두는 것인, 패터닝층 형성 단계; 반도체 기판에 대해 스퍼터링 공정을 수행하는 단계; 및 스퍼터링 공정 이후, 반도체 기판에 대해 습식 에칭 공정을 수행하여 노출 영역들로부터 도핑 산화물층을 제거하는 단계를 포함한다.