| 摘要 |
소자 분리 특성을 향상하여 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 길이 방향으로 나란한 제1 핀형 패턴 및 제2 핀형 패턴, 상기 제1 핀형 패턴과 상기 제2 핀형 패턴 사이에 형성된 제1 트렌치, 상기 제1 트렌치의 일부를 채우는 필드 절연막으로, 상기 필드 절연막의 상면은 상기 제1 핀형 패턴의 상면 및 상기 제2 핀형 패턴의 상면보다 낮은 필드 절연막, 상기 필드 절연막 상에, 상기 제1 핀형 패턴과, 상기 제2 핀형 패턴을 덮고, 상기 필드 절연막의 상면을 노출시키는 제2 트렌치를 포함하는 층간 절연막으로, 상기 제2 트렌치는 상부와 하부를 포함하는 층간 절연막, 상기 제2 트렌치의 하부를 채우는 절연 라인 패턴, 및 상기 제2 트렌치의 상부를 채우는 도전 패턴을 포함한다. |
