发明名称 一种在基片上制作实心金属化孔的方法
摘要 本发明公开了一种在基片上制作实心金属化孔的方法,属于微波技术领域,本发明通过在基片上加工通孔;在基片的一面溅射多层金属薄膜;在多层金属薄膜的表面喷涂光刻胶;通过曝光、显影去除通孔的内壁上的光刻胶;将基片浸入电镀溶液并去除基片通孔里面的气泡;为基片电镀金属直到基片通孔填充满金属;去除基片的表面的光刻胶;抛光去除高于基片的表面的金属,完成实心金属化孔的制作。本发明用电镀的方法填充通孔,通孔内为纯金属,通孔填充率高,导电性和导热性良好。
申请公布号 CN106191862A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610590274.X 申请日期 2016.07.25
申请人 中国电子科技集团公司第四十一研究所 发明人 宋振国;胡莹璐;王斌;路波
分类号 C23C28/02(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;C25D5/34(2006.01)I 主分类号 C23C28/02(2006.01)I
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人 王连君
主权项 一种在基片上制作实心金属化孔的方法,其特征在于:按照如下步骤进行:步骤1:在基片上加工通孔;步骤2:在基片的一面溅射多层金属薄膜;步骤3:在多层金属薄膜的表面喷涂光刻胶;步骤4:通过曝光、显影去除通孔的内壁上的光刻胶;步骤5:将基片浸入电镀溶液并去除基片通孔里面的气泡;步骤6:为基片电镀金属直到基片通孔填充满金属;步骤7:去除基片的表面的光刻胶;步骤8:化学机械抛光去除高于基片的表面的金属。
地址 266555 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号