半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述隔离层上形成横跨鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖部分鳍部侧壁和顶部，所述伪栅结构顶部具有硬掩膜层；在所述伪栅结构和硬掩膜层侧壁表面形成侧墙；刻蚀位于所述伪栅结构两侧的鳍部，形成凹槽；在所述凹槽以及隔离层表面形成保护层，所述保护层表面高于鳍部的顶部表面，暴露出部分伪栅结构；在所述暴露的伪栅结构侧壁上形成补充侧墙；去除所述保护层。上述方法能够提高形成的半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述隔离层上形成横跨鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖部分鳍部侧壁和顶部，所述伪栅结构顶部具有硬掩膜层；在所述伪栅结构和硬掩膜层侧壁表面形成侧墙；刻蚀位于所述伪栅结构两侧的鳍部，形成凹槽；在所述凹槽以及隔离层表面形成保护层，所述保护层表面高于鳍部的顶部表面，暴露出部分伪栅结构；在所述暴露的伪栅结构侧壁上形成补充侧墙；去除所述保护层。