半导体装置及其形成方法

摘要

本公开提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置的形成方法，包含：提供一承载晶圆；形成一内缩部分于承载晶圆上，内缩部分具有一倾斜部分于内缩部分的一边缘；接合一表层晶圆于承载晶圆上，以形成一开放区域于内缩部分内；图案化表层晶圆，以形成一表层膜于内缩部分之上以及一表层膜支持结构于倾斜部分之上；以及施加一机械力，以使表层膜从表层晶圆分离。该方法可保护光罩的图案化部分远离颗粒及其它污染物，表层可形成于表层晶圆之中且接着被机械地分离，还可有效率地制造有效的表层以保护光罩。

主权项

一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：提供一承载晶圆；形成一内缩部分于该承载晶圆上，该内缩部分具有一倾斜部分于该内缩部分的一边缘；接合一表层晶圆于该承载晶圆上，以形成一开放区域于该内缩部分内；图案化该表层晶圆，以形成一表层膜于该内缩部分之上以及一表层膜支持结构于该倾斜部分之上；以及施加一机械力，以使该表层膜从该表层晶圆分离。