发明名称 |
Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件,其结构自下至上依次包括:蓝宝石衬底、n型GaN层、In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N/GaN量子阱有源层、p型GaN层;所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层,深至n型GaN层的微米柱阵列,还包括一p型阵列电极,蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上,一n型电极,蒸镀在n型GaN层上;Si‑CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上,Si‑CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si‑CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接,可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制,能应用于超高分辨照明与显示,可见光通讯,生物传感等众多领域。 |
申请公布号 |
CN106206872A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610635841.9 |
申请日期 |
2016.08.04 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
刘斌;张荣;何国堂;谢自力;陈鹏;修向前;赵红;陈敦军;陆海;韩平;施毅;郑有炓 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
王清义 |
主权项 |
一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件,包括微米柱LED器件和Si‑CMOS阵列驱动电路,所述微米柱LED器件其结构自下至上依次包括:一双面抛光的蓝宝石衬底;一生长在蓝宝石衬底上的缓冲层;一生长在缓冲层上的n型GaN层;一生长在n型GaN层上的In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N/GaN量子阱有源层;一生长在量子阱有源层上的p型GaN层;所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层,深至n型GaN层的微米柱阵列,还包括一p型阵列电极,蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上,一n型电极,蒸镀在n型GaN层上;Si‑CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上,Si‑CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。 |
地址 |
210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 |