| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104247031B | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201380021447.0 | 申请日期 | 2013.04.22 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 高丸泰;伊东一笃;宫本忠芳;宫本光伸;中泽淳;小川康行;内田诚一;森重恭 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；在所述基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；氧化物层，该氧化物层形成在所述栅极绝缘层上，包括半导体区域和与所述半导体区域接触的导体区域，所述半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；与所述半导体区域电连接的源极电极和漏极电极；在所述源极电极和所述漏极电极上形成的绝缘层；以隔着所述绝缘层与所述导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极；与所述源极电极由相同的导电膜形成的源极配线；与所述栅极电极由相同的导电膜形成的栅极引绕配线；和与所述半导体区域的沟道区域接触的保护层，所述源极配线通过与所述透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层，与所述栅极引绕配线电连接，所述透明连接层与所述氧化物层接触，所述源极配线通过所述氧化物层与所述透明连接层电连接，所述保护层形成在所述源极配线上，所述绝缘层形成在所述保护层上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||