半浮栅晶体管工艺方法

摘要

一种半浮栅晶体管工艺方法，包括：衬底中形成半浮栅阱区，在衬底表面形成氧化物层，并且在半浮栅阱区中形成由隔离区隔开的半浮栅凹槽，去除半浮栅阱区表面特定区域的氧化物层以露出衬底；在衬底表面沉积第一栅极多晶硅层，所述第一栅极多晶硅层填充了半浮栅凹槽；在第一栅极多晶硅层表面形成阻挡层；去除一部分阻挡层；沉积第二栅极多晶硅层；对第二栅极多晶硅层和第一对栅极多晶硅层进行全覆盖离子注入；对半导体结构进行退火；对退火后的半导体结构进行表面平坦化处理；执行光刻和刻蚀工艺以去除剩余的阻挡层，部分地去除第一对栅极多晶硅层，仅留下部分第一对栅极多晶硅层，该部分第一对栅极多晶硅层填充了半浮栅凹槽并且覆盖了所述特定区域。

主权项

一种半浮栅晶体管工艺方法，其特征在于包括：第一步骤：衬底中形成半浮栅阱区，在衬底表面形成氧化物层，并且在半浮栅阱区中形成由隔离区隔开的半浮栅凹槽，去除半浮栅阱区表面特定区域的氧化物层以露出衬底；第二步骤：在衬底表面沉积第一栅极多晶硅层，所述第一栅极多晶硅层填充了半浮栅凹槽；第三步骤：在第一栅极多晶硅层表面形成阻挡层；第四步骤：去除一部分阻挡层，其中所述一部分阻挡层覆盖了半浮栅凹槽和所述特定区域；第五步骤：沉积第二栅极多晶硅层；第六步骤：对第二栅极多晶硅层和第一对栅极多晶硅层进行全覆盖离子注入；第七步骤：对全覆盖离子注入后的半导体结构进行退火，使得多晶硅经由所述特定区域进入衬底；第八步骤：对退火后的半导体结构进行表面平坦化处理，以露出剩余的阻挡层；第九步骤：执行光刻和刻蚀工艺以去除剩余的阻挡层，并且部分地去除第一对栅极多晶硅层，仅留下部分第一对栅极多晶硅层，所述部分第一对栅极多晶硅层填充了半浮栅凹槽并且覆盖了所述特定区域。