| 摘要 |
핀 전계 효과 트랜지스터(FinFET) 디바이스 구조물 및 FinFET 디바이스 구조물을 형성하는 방법이 제공된다. FinFET 디바이스 구조물은 기판 및 기판 상에 형성된 분리 구조물을 포함한다. FinFET 디바이스 구조물은 기판 위로 연장되는 핀 구조물을 또한 포함하고, 핀 구조물은 분리 구조물에 내장된다. FinFET 디바이스 구조물은 핀 구조물 상에 형성된 에피택셜 구조물을 더 포함하고, 에피택셜 구조물은 오각형 유사 형상을 갖고, 에피텍셜 구조물과 핀 구조물 사이의 계면은 분리 구조물의 상부 표면보다 낮다. |
