| 摘要 |
L'invention concerne un capteur d'image ayant une partie comprenant des niveaux d'interconnexion formés sur un substrat semiconducteur (1) recouvert d'une première couche d'un matériau diélectrique, comprenant des pistes conductrices (15-1, 15-2, 15-3) séparées les unes des autres par des couches isolantes (6-1, 6-2, 6-3, 6-4), reliées entre elles par des vias (16-1, 16-2, 16-3) traversant les couches isolantes, et un filtre passe-bande dans l'infrarouge comprenant des niveaux de filtre adjacents aux niveaux d'interconnexion formés par une alternance de deuxièmes couches (6-1, 6-2, 6-3) du matériau diélectrique, et de couches de silicium (5-1, 5-2, 5-3), l'indice de réfraction du matériau diélectrique étant inférieur à 2,5 à la longueur d'onde de transmission maximale du filtre, l'une des deuxièmes couches diélectriques de chaque niveau de filtre étant identique à la couche isolante du niveau d'interconnexion adjacent. |
