| 发明名称 | 电容器结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电容器结构(2)，包括具有第一侧和第二侧(6、8)的硅衬底(4)、双重金属‑绝缘体‑金属沟槽式电容器(10)，其包括基底电极(12)、绝缘层(16，20)、第二导电层和第三导电层(18，22)；电容器结构还包括耦接到基底电极(12)的第二衬垫(26)和第四衬垫(30)以及耦接在一起的第一衬垫(24)和第三衬垫(28)，第一衬垫(24)和第二衬垫(26)位于衬底侧的同侧，第三衬垫(28)和第四衬垫(30)位于衬底侧的同侧，第三衬垫(28)耦接到第二导电层(18)，所述第二导电层(18)与相反的第二侧(8)齐平或从相反的第二侧(8)突出。 | ||
| 申请公布号 | CN106170858A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201580008671.5 | 申请日期 | 2015.03.25 |
| 申请人 | IPDIA公司 | 发明人 | 弗雷德里克·瓦龙;金-勒内·泰内洛 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人 | 张彪 |
| 主权项 | 一种电容器结构(2)，包括：‑硅衬底(4)，具有第一侧(6)以及相反的第二侧(8)，‑在半导体衬底(4)中刻蚀的沟槽(14)，‑双重金属‑绝缘体‑金属沟槽式电容器(10)，其包括：o基底电极(12)，其形成陷入耦接到衬底(4)的沟槽(14)中的第一导电层，o第一绝缘层(16)，o沉积在第一绝缘层(16)上的第二导电层(18)，o第二绝缘层(20)，o第三导电层(22)，其沉积在第二绝缘层(20)上，并耦接到基底电极(12)，其特征在于，第二衬垫(26)和第四衬垫(30)耦接到基底电极(12)，其中，第二衬垫(26)位于硅衬底(4)的第一侧(6)，第四衬垫(30)位于硅衬底(4)的相反的第二侧(8)，而且，第一衬垫(24)和第三衬垫(28)耦接在一起，并且一方面与硅衬底(4)绝缘，另一方面与第二衬垫(26)和第四衬垫(30)绝缘，第一衬垫(24)位于第一侧(6)，第三衬垫(28)位于相反的第二侧(8)，第三衬垫(28)耦接到第二导电层(18)，所述第二导电层(18)与相反的第二侧(8)齐平或从相反的第二侧突出。 | ||
| 地址 | 法国卡昂 | ||