| 发明名称 | 高压NPN器件及其版图结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高压NPN器件及其版图结构，其特征在于，包括：发射极区、集电极区、基极区和P型杂质区；所述发射极区、集电极区、基极区和P型杂质区均通过浅沟槽隔离区相互隔离；所述P型杂质区位于集电极区和基极区之间，并与所述半导体衬底相接。本发明高压NPN器件及其版图结构中，集电极区和基极区之间引入了P型杂质区，所述P型杂质区与衬底相接产生JFET效应，从而提高了高压NPN器件的安全工作区，即使在注入高压大电流的情况下，所述高压NPN器件的输出曲线也不会出现上翘。 | ||
| 申请公布号 | CN103337514B | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201310286451.1 | 申请日期 | 2013.07.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 吴健 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种高压NPN器件，形成于半导体衬底上，其特征在于，包括：发射极区、集电极区、基极区和P型杂质区；所述基极区和所述发射极区的中心在同一位置，且所述基极区围绕于所述发射极区；所述发射极区、集电极区、基极区和P型杂质区均通过浅沟槽隔离区相互隔离；所述P型杂质区位于所述集电极区和所述基极区之间，并与所述半导体衬底相接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 | ||