| 发明名称 | 一种异质结终端的碳化硅功率器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结终端的碳化硅功率器件，包括阴极电极、衬底层、N型SiC外延层及阳极电极，还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电极外围以构成异质结终端，有效避免了对N型SiC外延层掺杂特性的影响，可以获得高击穿电压及低器件开启电压的碳化硅器件。本发明还公开了其制作方法，大大减少了对高温复杂工艺的要求，制程简单，减少了制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106169417A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610541460.4 | 申请日期 | 2016.07.11 |
| 申请人 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 发明人 | 刘成;叶念慈;黄侯魁 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 张松亭 |
| 主权项 | 一种异质结终端的碳化硅功率器件，由下至上包括阴极电极、衬底层，N型SiC外延层及阳极电极，其特征在于：还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电极外围以构成异质结终端。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 | ||