| 发明名称 | 包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本公开提供包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN106169502A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610149522.7 | 申请日期 | 2016.03.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李珉贤;金海龙;申铉振;南胜杰;朴晟准 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王新华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体层，包括被掺杂为第一导电类型的阱区以及被掺杂为与所述第一导电类型电性相反的第二导电类型的源极区和漏极区；金属层，电接触所述半导体层；以及二维材料层，在所述半导体层和所述金属层之间，所述二维材料层具有二维晶体结构，所述二维材料层包括，在所述源极区上的第一二维材料层，和在所述漏极区上的第二二维材料层，其中所述金属层包括在所述第一二维材料层上的源电极以及在所述第二二维材料层上的漏电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||