nitride-based diode having vertical contact structure and method of fabricating the same

摘要

일 실시예에 따르는 질화물계 다이오드 소자는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 구비하는 제1 질화물계 반도체 패턴층, 및 상기 제1 질화물계 반도체 패턴층의 제1 면 상에 배치되고 상기 제1 질화물계 반도체 패턴층과 각각 쇼트키 접합 및 오믹 접합을 이루는 제1 전극 패턴층과 제2 전극 패턴층을 구비한다. 또한, 상기 질화물계 다이오드 소자는 상기 제1 질화물계 반도체 패턴층의 제2 면 상에 배치되고 상기 제1 질화물계 반도체 패턴층과 서로 다른 에너지 밴드갭을 구비하는 제2 질화물계 제1 반도체 패턴층, 상기 제1 전극 패턴층과 제1 수직형 컨택층에 의해 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드, 및 상기 제2 전극 패턴층과 제2 수직형 컨택층에 의해 전기적으로 연결되는 제2 전극 패드를 포함한다. 이때, 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드는 상기 제1 질화물계 반도체 패턴층을 기준으로 상하 방향으로 서로 반대쪽에 배치된다.