| 摘要 |
본 발명은 홀센서 및 홀센서 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 홀센서는 반절연 GaAs 기판, 상기 GaAs 기판 상부에 형성된 GaAs 버퍼층, 상기 GaAs 버퍼층 상부에 Si를 도핑하여 형성된 n- GaAs 채널층, 상기 n- GaAs 채널층 상부에 Si를 도핑하여 형성된 n+ GaAs 오믹층, 및 상기 n- GaAs 채널층 상부 또는 상하부에 불순물 도핑 없이 형성된 AlGaAs 공간층을 포함하여 이루어지며, 공간층이 AlGaAs(0.1<x<0.4)의 조성비를 가져, 휴대용 전자 기기의 작동 영역인 100㎐이하의 저주파대역, 전류 4㎃이하, 상온에서 노이즈에 의한 위치 오차가 화소 사이즈의 반이상을 넘지 않는 것을 특징으로 한다. |
