半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种制造Fin FET的方法，方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括上层，并且从隔离绝缘层暴露上层的一部分。在鳍结构的一部分上方形成栅极结构。在栅极结构和未被栅极结构覆盖的鳍结构上方形成非晶层。通过对非晶层进行部分地再结晶，在未被栅极结构覆盖的鳍结构上方形成再结晶层。去除未再结晶的剩余的非晶层。在再结晶层上方形成源极和漏极电极层。本发明还提供一种半导体器件。

主权项

一种制造包括Fin FET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，从隔离绝缘层暴露所述上层的一部分；在所述鳍结构的一部分上方形成栅极结构，所述栅极结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；在所述栅极结构和未被所述栅极结构覆盖的鳍结构上方形成非晶层；通过对所述非晶层进行部分地再结晶，在未被所述栅极结构覆盖的鳍结构上方形成再结晶层；去除未再结晶的剩余的非晶层；以及在所述再结晶层上方形成源极和漏极电极层。