一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置

摘要

本实用新型公开了一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，包括密封釜体，釜体内设有坩埚，坩埚装设有金属镓与金属钠混合组成的生长溶液，釜体的上盖连接有被动搅拌轴，被动搅拌轴的下端两侧设有L形搅拌叶，被动搅拌轴及L形搅拌叶中设有连通的通N管道，坩埚底侧支撑有GaN籽晶，坩埚的下端设有可加热的驱动转盘，驱动转盘通过转轴连接有位于釜体外的转动电机。本实用新型利用驱动转盘和被动搅拌机构的配合对GaN生长溶液进行搅拌，被动搅拌机构内设有通N管道，能够在搅拌的同时通N，从而改善生长溶液中N浓度分布均衡性，保障目标籽晶处的液相外延生长。

主权项

一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，包括密封釜体(1)，所述釜体(1)内设有坩埚(2)，所述坩埚(2)装设有金属镓与金属钠混合组成的生长溶液(3)，其特征在于：所述釜体(1)的上盖连接有伸入生长溶液(3)的被动搅拌轴(4)，所述被动搅拌轴(4)的下端两侧设有L形搅拌叶(5)，所述被动搅拌轴(1)及L形搅拌叶(5)中设有连通的通N管道(6)，所述坩埚(2)底侧通过固定件(7)固定支撑有GaN籽晶(8)，所述坩埚(2)的下端设有可加热的驱动转盘(9)，所述驱动转盘(9)通过转轴(10)连接有位于釜体(1)外的转动电机(11)。