| 发明名称 | 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO<sub>4</sub>衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO<sub>4</sub>衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时采用了非晶层技术，所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN106158592A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610754971.4 | 申请日期 | 2016.08.29 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;朱运农;杨为家 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 罗观祥 |
| 主权项 | 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括依次生长在ScMgAlO<sub>4</sub>衬底上的GaN缓冲层、GaN形核层，GaN非晶层和GaN薄膜。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||