鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，形成硬掩膜层，所述硬掩膜层为长条状；形成横跨硬掩膜层伪栅结构，包括伪栅极和第一侧墙、第二侧墙；在半导体衬底上形成表面与伪栅结构表面齐平的介质层；去除伪栅极，形成第一凹槽；以硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成第一子鳍部；在第一凹槽内形成第一金属栅结构；去除第一侧墙，形成第二凹槽；以硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成第二子鳍部；在第二凹槽内形成第二金属栅结构；去除第二侧墙，形成第三凹槽；以硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成第三子鳍部；在第三凹槽内形成第三金属栅结构。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成覆盖部分半导体衬底表面的硬掩膜层，所述硬掩膜层为长条状；形成横跨所述硬掩膜层的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖部分硬掩膜层的顶部和侧壁，包括伪栅极和分别位于伪栅极两侧的第一侧墙、第二侧墙；在所述半导体衬底上形成表面与伪栅结构表面齐平的介质层，所述介质层覆盖硬掩膜层和伪栅结构侧壁；去除伪栅极，形成第一凹槽，暴露出部分半导体衬底和硬掩膜层表面；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，形成第一子鳍部；在所述第一凹槽内形成第一金属栅结构；去除第一侧墙，形成第二凹槽，暴露出部分半导体衬底和硬掩膜层表面；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，形成第二子鳍部；在所述第二凹槽内形成第二金属栅结构；去除第二侧墙，形成第三凹槽，暴露出部分半导体衬底和硬掩膜层表面；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，形成第三子鳍部；在所述第三凹槽内形成第三金属栅结构。