一种基于Si基的高频SAW器件及其制备方法

摘要

本发明涉及SAW器件制造领域，具体涉及一种基于Si基的高频SAW器件及其制备方法。该高频SAW器件为多层膜结构，从下至上依次包括Si基、高声速层、压电层和叉指换能器。Si基的背面设置有沟槽，从而使声表面波的传播局限在高声速层内，以提高该器件的中心频率。该结构的SAW器件是多层膜结构，可满足高频、高机电耦合系数以及集成电路领域的应用需求。压电层选用压电薄膜时相比于压电单晶材料易于集成，可应用于半导体工业中。

主权项

一种基于Si基的高频SAW器件，为多层膜结构，从下至上依次包括Si基、高声速层、压电层和叉指换能器，其特征在于：所述Si基的背面设置有沟槽，其截面形状为梯形即沟槽为梯形槽，空间形状为梯形柱，梯形截面的两条底边对应Si基上下表面，截面高即梯形高等于Si基厚度；沟槽与高声速层接触面为矩形，接触面与梯形截面的公共边即梯形截面的上底边≥叉指对数×(电极指宽+指条间隙)，矩形另一条边即梯形柱的柱高≥声孔径；开槽方向为声孔径长度方向，整个矩形接触面空间上与叉指换能器相适应即叉指换能器空间上被沟槽的接触面完全覆盖。