| 发明名称 | 一种半导体器件和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：P型衬底；第一N阱和第二N阱，彼此间隔位于所述P型衬底内；P阱，位于所述第一N阱和所述第二N阱之间的所述P型衬底内，且所述P阱与所述第一N阱和所述第二N阱相接触；第一P+扩散区和第二P+扩散区，分别位于所述第一N阱内和所述第二N阱内；第一N+扩散区和第二N+扩散区，分别位于所述P阱与所述第一N阱的交界区域和所述P阱与所述第二N阱的交界区域。本发明的半导体器件为一种双方向SCR器件，其具有高的维持电压和强鲁棒性，可提供更好的ESD防护性能。它也可以用来作为层叠结构，以满足不同的触发电压和灵活地维持电压。 | ||
| 申请公布号 | CN106158959A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510176990.9 | 申请日期 | 2015.04.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 钟雷;李宏伟;雷玮;程惠娟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：P型衬底；第一N阱和第二N阱，彼此间隔位于所述P型衬底内；P阱，位于所述第一N阱和所述第二N阱之间的所述P型衬底内，且所述P阱与所述第一N阱和所述第二N阱相接触；第一P+扩散区和第二P+扩散区，分别位于所述第一N阱内和所述第二N阱内；第一N+扩散区和第二N+扩散区，分别位于所述P阱与所述第一N阱的交界区域和所述P阱与所述第二N阱的交界区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||