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Es wird eine Diode beschrieben, mit einem lichtempfindlichen Germanium-Gebiet (5), das sich auf einem Wellenleiter (2) aus Silizium oder Silizium-Germanium befindet und das im Vergleich mit dem Wellenleiter identische oder um maximal 20 nm pro Seite kürzere laterale Abmessungen in einer Richtung quer zu einer Lichtausbreitungsrichtung im Wellenleiter hat. Die Diode im Germaniumgebiet enthält eine laterale Anordnung eines N-dotierten (5b), eines intrisischen (5) und eines P-dotierten (5a) Germanium-Gebiets. Ausserdem schliessen sich seitlich an die P- und N-dotierten Gebiete (5a, 5b) im Germanium-Gebiet weitere homogen dotierte Ausläufer (6a, 6b) aus Silizium oder Silizium-Germanium an, die sich in vertikaler Richtung mindestens bis zu einem Niveau erstrecken, welches auf gleicher Höhe ist wie ein in der vertikalen Richtung höchster Punkt des Germanium-Gebiets (5). |
