大规模集成电路用无溶剂硅树脂及其制备方法

摘要

本发明公开了一种大规模集成电路用无溶剂硅树脂，它由二甲基二氯硅烷50~100份，二氯甲基乙烯基硅烷30~60份，苯基三氯硅烷70~140份，醋酸丁酯90~180份，反应溶剂500~1000份，偶联剂2~5份制成。本发明提供的大规模集成电路用无溶剂硅树脂，通过大量实验优选出各组份配比，该树脂具有优异的耐磨性、耐氧化性、耐高低温性、耐辐射性、耐候性、绝缘性、憎水性以及低表面势能。并且本发明提供的制备方法，整个工艺设计合理，采用连续水解工艺，把水解、水洗、浓缩在一个步骤完成，并采用新型高效催化剂锆酸酯偶联剂，可大大减少反应时间，提高生产效率，节省成本，提高产品的综合性能。

主权项

一种大规模集成电路用硅树脂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按重量份数取二甲基二氯硅烷50～100份，二氯甲基乙烯基硅烷30～60份，苯基三氯硅烷70～140份和醋酸丁酯90～180份配成混合液，滴入由浓度10％氢氧化钠水溶液100～120份、丁酮90～110份和醋酸丁酯300～400份配成的反应溶剂，1个小时滴完，滴完后，继续搅拌反应1～2小时；(2)分掉下层中性水，取样测固体含量；加入固体份千分之二至千分之三重量的锆酸酯偶联剂，在120～135度进行回流反应，直到没有水生成为止，既得；步骤(2)所述的锆酸酯偶联剂为四正丙基锆酸酯。