水平全环栅和FinFET器件隔离

摘要

本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基板的埋入式氧化物层。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上形成超晶格结构，其中所述超晶格结构包括：第一材料层；第二材料层；以及第三材料层；图案化所述超晶格结构；蚀刻所述超晶格结构和所述基板；执行衬层沉积工艺以在所述超晶格结构上形成衬层；执行浅沟槽隔离工艺以在所述基板上沉积氧化物材料层；以及执行退火工艺以氧化所述第一材料层、所述第二材料层或所述第三材料层中的至少一者，从而形成埋入式氧化物层。