半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底以及位于部分基底表面的伪栅，伪栅包括栅介质层、第一功函数层、以及非晶硅层，且伪栅包括第一区域、第二区域和第三区域；在基底表面形成层间介质层，层间介质层覆盖于伪栅侧壁表面；去除第一区域的非晶硅层，使第一区域的第一功函数层表面被暴露出来；对第一区域的第一功函数层进行掺杂处理，将第一区域的第一功函数层转化为第二功函数层；去除第二区域的非晶硅层；在去除第一区域和第二区域的非晶硅层之后，对第三区域的伪栅进行退火处理，将第三区域的第一功函数层转化为第三功函数层。本发明同一金属栅极下方具有功函数值不同的三种功函数层，有效的改善形成的半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于部分基底表面的伪栅，其中，所述伪栅包括栅介质层、位于栅介质层表面的第一功函数层、以及位于第一功函数层表面的非晶硅层，且所述伪栅包括第一区域、第二区域和第三区域；在所述基底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖于伪栅侧壁表面；去除所述第一区域的非晶硅层，使第一区域的第一功函数层表面被暴露出来；对所述第一区域的第一功函数层进行掺杂处理，将第一区域的第一功函数层转化为第二功函数层；去除所述第二区域的非晶硅层，保留第三区域的非晶硅层；在去除所述第一区域和第二区域的非晶硅层之后，对所述第三区域的伪栅进行退火处理，将第三区域的第一功函数层转化为第三功函数层；在所述第二功函数层表面、第三功函数层表面以及第二区域的第一功函数层表面形成金属栅极。