碳化硅接面能障萧特基整流器

摘要

本发明公开一种碳化硅接面能障萧特基整流器，包含一碳化硅基板、一漂移层、一p型掺杂区域、多个接面场效应区域、一第一金属层以及一第二金属层。所述漂移层设置于所述碳化硅基板上，所述接面场效应区域设置于所述漂移层内，且由所述p型掺杂区域环绕，所述第一金属层设置于所述漂移层上，所述第二金属层设置于所述碳化硅基板远离所述漂移层的一侧。本发明借由于所述接面场效应区域设置N个圆区域以及(N-1)个连接于两所述圆区域之间的连接区域，利用所述圆区域及所述连接区域的几何特性，有效降低元件的漏电流并提升耐压，改善现有萧特基障壁二极管具有较大漏电流的问题。

主权项

一种碳化硅接面能障萧特基整流器，其特征在于，包含有：一具有n型重掺杂的碳化硅基板，所述碳化硅基板包含一第一表面以及一相对的第二表面；一设置于所述第一表面并且有一n型掺杂的漂移层，所述漂移层具有一远离所述第一表面的第三表面；一设置于所述漂移层内并接触所述第三表面的p型掺杂区域；多个设置于所述漂移层内且由所述p型掺杂区域环绕而接触所述第三表面的接面场效应区域，所述接面场效应区域各包含N个圆区域以及(N‑1)个连接于两所述圆区域之间的连接区域，N为一自然数；一设置于所述第三表面的第一金属层，所述第一金属层与所述接面场效应区域之间形成一萧特基能障；以及一设置于所述第二表面的第二金属层，所述第二金属层与所述碳化硅基板之间形成一奥姆接触。