一种碳化硅外延生长装置

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅外延生长装置，包括筒体和加热线圈，筒体的内腔为反应腔，筒体的一端设置有进气口、另一端设置有排气口，筒体侧壁自外至内依此为石英壁、石墨软毡层和石墨支撑层，石墨支撑层上设置有衬底基座，石墨软毡层中设置有与外部气源连接的补气通道和气浮供气通道，其中，气浮供气通道的出气端设置在衬底基座上，碳化硅衬底气浮于衬底基座上，补气通道的出气端位于碳化硅衬底的上方。本实用新型通过在反应腔上方引入补气管，气流从上往下进入反应腔与反应腔入口的气流混合，在碳化硅衬底上经过反应形成碳化硅外延薄膜，再流出反应腔，达到快速生长高度均匀的碳化硅外延片的目的。

主权项

一种碳化硅外延生长装置，其特征在于，该装置包括一水平设置的筒体和设置在该筒体外侧的加热线圈，筒体的内腔为反应腔，该筒体的一端设置有进气口、另一端设置有排气口，筒体侧壁自外至内依此为石英壁、石墨软毡层和石墨支撑层，所述石墨支撑层上设置有衬底基座，所述石墨软毡层中设置有与外部气源连接的补气通道和气浮供气通道，其中，所述气浮供气通道的出气端设置在所述衬底基座上，碳化硅衬底气浮于衬底基座上，所述补气通道的出气端位于碳化硅衬底的上方。