| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN106158968A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610141256.3 | 申请日期 | 2016.03.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 刘庭均;成石铉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;尹淑梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括第一侧壁和面对第一侧壁的第二侧壁；以及场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，其中，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||