| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括衬底，所述衬底的表面层中形成有结晶缺陷；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述结晶缺陷中的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN106158928A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510133571.7 | 申请日期 | 2015.03.25 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 山口隆志 |
| 分类号 | H01L29/34(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 陶海萍;樊一槿 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括衬底，所述衬底的表面层中形成有结晶缺陷；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述结晶缺陷中的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||