发明名称 Feldeffekteinrichtung, Verfahren zum Betreiben dieser Feldeffekteinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Feldeffekteinrichtung
摘要 Feldeffekteinrichtung, aufweisend: • einen Bodybereich (101) eines zweiten Leitfähigkeitstyps; • einen Wannenbereich (102) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der in dem Bodybereich (101) gebildet ist; • einen ersten Source-/Drainbereich (103) des ersten Leitfähigkeitstyps; • einen zweiten Source-/Drainbereich (104) des ersten Leitfähigkeitstyps oder des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in dem Wannenbereich (102) gebildet ist; • einen dotierten Bereich (109) des ersten Leitfähigkeitstyps, der lateral angrenzend an den ersten Source/Drain-Bereich (103) gebildet ist; und • einen Taschenimplantationsbereich (107) benachbart zu dem ersten Source-/Drainbereich (103), wobei der Taschenimplantationsbereich (107) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist; • wobei sich der zweite Leitfähigkeitstyp von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet; • wobei der Bodybereich (101) den Taschenimplantationsbereich (107) körperlich kontaktiert; • wobei der Dotierstoffkonzentrationspegel des dotierten Bereichs (109) niedriger ist als der Dotierstoffkonzentrationspegel des ersten Source/Drain-Bereichs (103); und • wobei der Dotierstoffkonzentrationspegel des Taschenimplantationsbereichs (107) höher als der Dotierstoffkonzentrationspegel des Bodybereichs (101), höher als der Dotierstoffkonzentrationspegel des Wannenbereichs (102) und höher als der Dotierstoffkonzentrationspegel des dotierten Bereichs (109) ist.
申请公布号 DE102009030086(B4) 申请公布日期 2016.11.17
申请号 DE20091030086 申请日期 2009.06.23
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Gossner, Harald, Dr.;Rao, Ramgopal;Shojaei Baghini, Maryam;Shrivastava, Mayank
分类号 H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336;H01L23/60;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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