发明名称 |
Feldeffekteinrichtung, Verfahren zum Betreiben dieser Feldeffekteinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Feldeffekteinrichtung |
摘要 |
Feldeffekteinrichtung, aufweisend: • einen Bodybereich (101) eines zweiten Leitfähigkeitstyps; • einen Wannenbereich (102) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der in dem Bodybereich (101) gebildet ist; • einen ersten Source-/Drainbereich (103) des ersten Leitfähigkeitstyps; • einen zweiten Source-/Drainbereich (104) des ersten Leitfähigkeitstyps oder des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in dem Wannenbereich (102) gebildet ist; • einen dotierten Bereich (109) des ersten Leitfähigkeitstyps, der lateral angrenzend an den ersten Source/Drain-Bereich (103) gebildet ist; und • einen Taschenimplantationsbereich (107) benachbart zu dem ersten Source-/Drainbereich (103), wobei der Taschenimplantationsbereich (107) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist; • wobei sich der zweite Leitfähigkeitstyp von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet; • wobei der Bodybereich (101) den Taschenimplantationsbereich (107) körperlich kontaktiert; • wobei der Dotierstoffkonzentrationspegel des dotierten Bereichs (109) niedriger ist als der Dotierstoffkonzentrationspegel des ersten Source/Drain-Bereichs (103); und • wobei der Dotierstoffkonzentrationspegel des Taschenimplantationsbereichs (107) höher als der Dotierstoffkonzentrationspegel des Bodybereichs (101), höher als der Dotierstoffkonzentrationspegel des Wannenbereichs (102) und höher als der Dotierstoffkonzentrationspegel des dotierten Bereichs (109) ist. |
申请公布号 |
DE102009030086(B4) |
申请公布日期 |
2016.11.17 |
申请号 |
DE20091030086 |
申请日期 |
2009.06.23 |
申请人 |
Infineon Technologies AG |
发明人 |
Gossner, Harald, Dr.;Rao, Ramgopal;Shojaei Baghini, Maryam;Shrivastava, Mayank |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336;H01L23/60;H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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