一种复合结构SiC衬底的隐切实验测试方法

摘要

本发明公开了一种复合结构SiC衬底的隐切实验测试方法，包括步骤：1)提供一片复合结构SiC衬底，该衬底的表面已长完GaN层，并能够后续做电极形成微波器件；2)将衬底通过完整工艺制做成芯片，形成表面器件图形，背面有划切道；3)将芯片移至激光划切机台内部，采用激光隐切的方式对划切道进行激光扫描切割，扫描方式分为：不同区域扫描，分别扫描1/2/3/4/5/6次，即对同一片子的不同区域进行激光扫描；4)将激光扫描后的芯片进行裂片扩膜，分别取出6个区域的芯粒，应用检测设备对芯片的侧壁形貌进行检测，以分析激光切割侧壁区域的形貌特征。本发明采用接近激光破坏阈值的小功率对晶圆进行多次扫描，从而获得切割剖面平整垂直的SiC衬底芯片。

主权项

一种复合结构SiC衬底的隐切实验测试方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一片复合结构SiC衬底，该衬底的表面已长完GaN层，并能够后续做电极形成微波器件；2)将所述SiC衬底通过完整工艺制做成芯片，形成表面器件图形，背面有划切道；3)将处理后的芯片移至激光划切机台内部，采用激光隐切的方式对划切道进行激光扫描切割，扫描方式分为：不同区域扫描，分别扫描1/2/3/4/5/6次，即对同一片子的不同区域进行激光扫描，而切割时具体是采用接近激光破坏阈值的小功率，将激光聚光于工件内部，设置不同聚焦点，在工件内部形成改质层，改质层作为一个裂缝起点，裂缝垂直变长，在芯片前后表面上下延伸；4)将激光扫描后的芯片进行裂片扩膜，分别取出6个区域的芯粒，应用扫描电子显微镜、原子力显微镜和光学显微镜这些检测设备对芯片的侧壁形貌进行检测，以分析激光切割侧壁区域的形貌特征。